收藏本站
IXFN 120N20
120
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
180
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
100
80
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
150
120
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
60
90
40
5V
60
20
0
30
0
5V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
1
2
3
4
5
120
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
2.5
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Norm alized to I D25 Value vs.
Junction Temperature
100
80
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
2.2
1.9
V GS = 10V
1.6
60
I D = 120A
40
20
0
5V
1.3
1
0.7
0.4
I D = 60A
0
1
2
3
4
5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.2
1.9
1.6
1.3
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to I D25
Value vs. I D
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
140
120
100
80
60
40
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
1
20
0.7
0
0
30
60
90
120
150
180
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2003 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFN130N30 MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
IXFN140N20P MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
IXFN140N25T MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227
IXFN140N30P MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
IXFN150N15 MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227
IXFN160N30T MOSFET N-CH 300V 130A SOT227
IXFN170N30P MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
IXFN180N15P MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
相关代理商/技术参数
IXFN120N20 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B
IXFN120N25 功能描述:MOSFET 120 Amps 250V 0.02 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN130N30 功能描述:MOSFET 300V 130A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN132N50P3 功能描述:MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN140N20P 功能描述:MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN140N25T 功能描述:MOSFET GigaMOS HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN140N30P 功能描述:MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN150N10 功能描述:MOSFET 150 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube